Чем отличается ddr2 от dimm

Разница между DDR2 и DIMM

Модули оперативной памяти на современных компьютерах могут быть представлены в самых разных модификациях. В числе самых распространенных — DDR2 и DIMM. Что они представляют собой?

Содержание статьи

DDR2 — это тип оперативной памяти для ПК и компьютерных видеокарт, обладающий главной шиной, которая работает примерно на вдвое более высокой частоте, чем та, что инсталлирована в модулях ОЗУ предыдущего поколения — DDR. В конструкции микросхем ОЗУ DDR2 присутствует 240 контактов.

Модули DDR2 выпускаются в 5 основных модификациях, различающихся по частоте (от 100 мГц, на которой работает наименее производительная версия до 266 мГц, которая установлена для самых быстрых типов ОЗУ DDR2).

Оперативная память DDR2 может дополняться:

  • специальными чипами коррекции ошибок;
  • модулями дополнительной регистрации адресов ячеек;
  • микросхемами для буферизации данных.

Модули DDR2 характеризуются очень высокой полосой пропускания, низким уровнем потребления электроэнергии, эффективной конструкцией (с точки зрения работы системы охлаждения). Вместе с тем в некоторых случаях обращение к данным в модулях DDR2, работающих на высоких частотах, может происходить с задержкой, превышающей таковую в микросхемах предшествующего поколения.

к содержанию ↑

Факты о DIMM

DIMM, в свою очередь, является не типом ОЗУ, а форм-фактором соответствующих модулей.

То есть по сути — дизайнерской концепцией, которой придерживаются производители микросхем оперативной памяти с целью достижения взаимной совместимости выпускаемой продукции.

Не исключение — бренды, которые поставляют на рынок модули памяти типа DDR2. Стандарту DIMM соответствуют и такие модификации микросхем ОЗУ, как DDR3 и DDR4.

Модули ОЗУ, выполненные в форм-факторе DIMM, представляют собой прямоугольные микросхемы, по обеим сторонам которых расположены контакты, независимые друг от друга. В свою очередь, контакты на оперативной памяти, соответствующей исторически предшествующему DIMM форм-фактору — SIMM, связаны между собой.

Модули DIMM идеально приспособлены для инсталляции в 64-разрядные компьютеры. Собственно, разработку и распространение данного форм-фактора многие IT-специалисты связывают как раз таки с ростом популярности 64-битных ПК. Однако исторически модули памяти DIMM используются довольно давно — с начала 90-х годов. Тогда они инсталлировались на рабочих станциях.

к содержанию ↑

Сравнение

Главное отличие DDR2 от DIMM в том, что DDR2 — это технологический тип модулей оперативной памяти, а DIMM — форм-фактор. При этом DDR2 в современных модификациях в большинстве случаев выполнен именно в стандарте DIMM.

В свою очередь, не каждый форм-фактор DIMM представлен в DDR2 — как мы отметили выше, DIMM-модули оперативной памяти используются с начала 90-х, когда ОЗУ в модификации DDR2 еще даже не были выведены на рынок.

Возможно — даже и не изобретены.

Определив то, в чем разница между DDR2 и DIMM, отметим ее ключевые критерии в небольшой таблице.

к содержанию ↑

Таблица

DDR2 DIMM
Что общего между ними?
Большинство современных модулей DDR2 для ПК выполнено в форм-факторе DIMM
В чем разница между ними?
Является технологическим типом модулей оперативной памяти для ПК Является форм-фактором, в котором выполняются модули для различных типов компьютеров — включая DDR2
Модули DDR2 появились на рынке в начале 2000-х годов Форм-фактор DIMM используется с начала 90-х годов

Источник: https://TheDifference.ru/chem-otlichaetsya-ddr2-ot-dimm/

Как отличить типы памяти SIMM, DIMM, DDR, DDR2, DDR3

Тут в очередной раз у меня спросили, как по внешнему виду можно определить тип оперативной памяти. Т.к. такой вопрос всплывает периодически, я решил, что лучше один раз показать, чем сто раз объяснять на пальцах, и написать иллюстрированный мини-обзорчик типов оперативной памяти для PC.

Не всем это интересно, по-этому прячу под кат. Читать

Самые распространённые типы оперативной памяти которые применялись и применяются в персональных компьютерах в обиходе называются SIMM, DIMM, DDR, DDR2, DDR3.  SIMM и DIMM вы вряд ли уже встретите, а вот DDR, DDR2 или DDR3  сейчас установлены в большинстве персональных компьютеров. Итак, по порядку

SIMM

SIMM на 30 контактов. Применялись в персональных компьтерах с процессорами от 286 до 486. Сейчас уже является раритетом.SIMM на 72 контакта. Память такого типа была двух видов FPM (Fast Page Mode) и EDO (Extended Data Out).

Тип FPM использовался на компьютерах с процессорами 486 и в первых Pentium до 1995 года. Потом появился  EDO.  В отличие от своих предшественников, EDO начинает выборку следующего блока памяти в то же время, когда отправляет предыдущий блок центральному процессору.

Конструктивно они одинаковы, отличить можно только по маркировке. Персоналки, поддерживавшие EDO, могли работать и с FPM, а вот наоборот — далеко не всегда.

DIMM

Так называли тип памяти SDRAM (Synchronous DRAM). Начиная с 1996 года большинство чипсетов Intel стали поддерживать этот вид модулей памяти, сделав его очень популярным вплоть до 2001 года. Большинство компьютеров с процессорами Pentium и Celeron использовали именно этот вид памяти.

Дальше пошла эра DDR, и память  почти перестали называть симы или димы. Теперь в ходу название DDR (DDR2, DDR3)  модуль или планка.

DDR

DDR (Double Data Rate) стал развитием SDRAM. Этот вид модулей памяти впервые появился на рынке в 2001 году. Основное отличие между DDR и SDRAM заключается в том, что вместо удвоения тактовой частоты для ускорения работы, эти модули передают данные дважды за один такт.

DDR2

DDR2 (Double Data Rate 2) — более новый вариант DDR, который теоретически должен быть в два раза более быстрым. Впервые память DDR2 появилась в 2003 году, а чипсеты, поддерживающие ее — в середине 2004.

Основное отличие DDR2 от DDR — способность работать на значительно большей тактовой частоте, благодаря усовершенствованиям в конструкции.

По внешнему виду отличается от DDR числом контактов: оно увеличилось со 184 (у DDR) до 240 (у DDR2).

DDR3

Как и модули памяти DDR2, они выпускаются в виде 240-контактной печатной платы (по 120 контактов с каждой стороны модуля), однако не являются электрически совместимыми с последними, и по этой причине имеют иное расположение «ключа».RIMM (Rambus)

Ну и наконец, есть еще один вид оперативной памяти — RIMM (Rambus).  Появился на рынке в 1999 году. Он основан на традиционной DRAM, но с кардинально измененной архитектурой. В персональных компьютерах этот тип оперативки не прижился и применялся очень редко. Такие модули применялись еще в игровых приставках Sony Playstation 2 и Nintendo 64.

Источник: http://Abramov-online.ru/blog/2010/03/16/simm-dimm-ddr-ddr2-ddr3/

Что такое DDR2 и DDR3 и в чем разница между ними

Как известно, DDR2 и DDR3, принадлежат к совершенно разным поколениям оперативной памяти и тех аспектов, которые их между собой отличают, существует огромное количество. Несмотря на их наличие, до сих пор не утихают споры, касательно того, имеет ли смысл переплачивать за DDR3, учитывая то, что DDR2., вернее ее характеристики, являются практически теми же.

Что собой представляют DDR2 и DDR3?

Появление DDR2, вызвало огромный фурор не только у представителей крупных ИТ-компаний, но также и у пользователей, которые просто не захотели отказываться от стандартной разновидности DDR.

Если сравнивать вторую версию оперативной памяти со стандартной, то следовало бы отметить то, что DDR 2, способно передавать данные по обоим срезам. Кроме этого, их разница сводится к тому, что DDR 2, имеет возможность похвастаться наличием намного более быстрой шиной.

Кстати говоря, процедура передачи данных на них, может совершаться одновременно, причем сразу-же из четырех мест. Ввиду вышесказанного, мы и можем уверенно говорить о том, что скорость передачи данных DDR 2, будет в несколько раз превосходить ту, которая имеет место быть в случае с предыдущим поколением.

Кроме этого, такую оперативную память характеризуют относительно небольшим энергопотреблением и достаточно быстрым охлаждением. DDR 2 казался максимально эффективным, вплоть к тому времени, пока не стало известно об существование DDR3.

В случае с такой оперативной памятью, имеет место быть снижение напряжения питания ячеек. Создателям DDR 3, каким-то невероятным образом удалось снизить энергопотребление на целых 15 процентов.

Помимо стандартных разновидностей DDR 3, на современном рынке предусмотрены и слегка модифицированные их версии. Их помечают буквой «L», которая означает, что эта модель оперативной памяти, имеет возможность похвастаться наличием еще большего показателя энергосбережения.

Пропускная способность у DDR 3, значительно превышает те показатели, которые предусмотрены в случае с какими либо-предыдущими моделями оперативной памяти.

Впрочем, уже сейчас DDR 3 — не может больше называться максимально эффективной разновидностью оперативной памяти, поскольку относительно недавно, о себе заявила DDR 4, которая согласно официальному заявлению компании-производителя, должна превзойти все предыдущие поколения.

Сравнение DDR 3 и DDR 4

Думаю, вы сами догадываетесь, что DDR 3 и DDR 4, представляют собой такие стандарты оперативной памяти, которые, к огромному сожалению, не могут быть взаимозаменяемыми, ну или совместимыми.

Кроме этого, отличаются они скоростью осуществления собственной работы, а также некоторыми показателями частоты.

Так, в том случае, если максимальная частота обыкновенной DDR 2, составляет всего 800 МГц, то в случае с DDR 3, этот показатель увеличивается к 1600 МГц.

Не рекомендуется ставить DDR 2 и DDR 3 на одну и ту же материнскую плату, поскольку они являются совершенно несовместимыми. Отличаются два этих стандарта памяти также и тем, что DDR3 расходует гораздо меньше электроэнергии, а также гораздо быстрее охлаждается.

Кстати говоря, в настоящий момент времени, в продаже находятся так называемые гибридные материнские платы, главной особенностью которых, является то, что у них имеются разъемы сразу-же под обе разновидности ОЗУ.

Однако, следовало бы учесть то, что пользоваться ими можно только отдельно друг от друга.

DDR 2 и DDR 3

Основные отличия DDR 2 и DDR 3, сводятся к следующему:

  • Главной отличительной особенностью двух этих стандартов памяти, является то, что они имеют совершенно разные слоты и ввиду их наличия, является невозможным совместить их друг с другом.
  • DDR 3, располагает намного большей тактовой частотой. В новой версии она составляет 1600 МГц, а в предыдущей — всего 800 МГ.
  • В отличие от своей предыдущей версии, DDR3, имеет возможность похвастаться наличием намного большей пропускной способностью и гораздо меньшим энергопотреблением.

Действительно, в некоторых ситуациях совершенно не уместно заменять старенький DDR2, ведь в преимущественном большинстве случаев, особенно учитывая то, как значимая часть пользователей ПК, проводит свой досуг, хватит и его.

В то самое время, не следовало бы забывать о том, что DDR2 и DDR3 — это совершенно разные типы оперативной памяти и ввиду наличия настолько большого количества отличительных особенностей, совершенно глупо путать их между собой.

Кстати говоря, сейчас появился стандарт памяти DDR4, который также, как и все его былые аналоги, будет иметь целый перечень всевозможных отличий. При этом, стоить он будет гораздо дороже!

Источник: http://vchemraznica.ru/chto-takoe-ddr2-i-ddr3-i-v-chem-raznica-mezhdu-nimi/

DDR2 vs. FB-DIMM – единство и борьба противоположностей

Настоящая интрига в ранее спокойном сегменте серверной памяти началась с выходом на рынок процессоров Opteron с интегрированным двухканальным контроллером регистровой памяти DDR333. В действительности именно этот продукт дал старт гонке скоростей в серверном сегменте по всем параметрам, в том числе и по увеличению производительности и функциональности подсистемы памяти.

Не станем повторять, что было до появления Opteron, просто напомним, что до 2003 г.

основным критерием, определяющим требования к подсистеме памяти, был прежде всего ее объем, и уже затем – наличие технологии, повышающей стабильность работы.

Скорости обмена особое внимание не удалялось, считалось, что двухканального контроллера DDR200/266 вполне достаточно, чтобы обеспечить должную производительность в большинстве приложений.

Компания «Оникс» уже поставляет на украинский рынок мощнейшие решения Supermicro с поддержкой FB-DIMM-памяти до 64 GB

Первые профессиональные процессоры семейства AMD64 продемонстрировали, на что способен современный контроллер памяти, встроенный в процессор.

Результатом применения такого новшества стало минимальное время доступа к ячейкам памяти при сохранении высокого быстродействия. Однако по-настоящему преимущество новых серверных CPU от AMD раскрылось в многопроцессорных системах.

В отличие от SMP-модели конкурента (когда все процессоры делят между собой одну шину и обращаются к одному контроллеру памяти), у AMD количество процессоров по определению совпадало с числом контроллеров памяти, связанных между собой скоростными двунаправленными последовательными шинами HyperTransport. В результате рост количества CPU и объема памяти (из-за прямой 64-битовой адресации) не приводил к потере производительности.

Применение технологии FB-DIMM с последовательной шиной предусматривает полную буферизацию ОЗУ, но приводит к более высоким значениям латентности при доступе к памяти
Читайте также:  Чем отличается экосистема от биосферы

Intel, в свою очередь, в новых чипсетах семейств 7525 и 7530, также рассчитанных на работу с 64-битовыми CPU, использовала ряд технологий повышения отказоустойчивости подсистемы памяти, которые обычно применяются в классе high-end. К таковым можно отнести Memory Scrubbing, x4 SDDC (Single Device Data Correction) и Memory Mirroring.

Суть первой сводится к тому, что во время простоя сервера контроллер начинает интенсивно нагружать имеющуюся память с целью выявления ее некорректной работы и при обнаружении ошибки не допускает последующей записи в данные области.

Зеркалирование (mirroring), по сути, повторяет одноименный принцип формирования RAID-массивов из жестких дисков: при использовании этого решения доступный объем памяти будет равен половине реально установленного. Однако в случае сбоя можно считывать данные с зеркального образа той области памяти, где была найдена ошибка.

Кроме того, семейство чипсетов 75хх положено в основу первых серверных платформ с применением регистровой памяти DDR2 (осуществлялась поддержка только стандарта DDR2-400).

Основные конкуренты в серверном сегменте – стандарты памяти FB-DIMM и Rеgistered DDR2 – используют одинаковые чипы, но разные подходы

Дальнейшие усовершенствования со стороны AMD сначала привели к увеличению частоты (до RDDR400), а затем были применены контроллеры, рассчитанные на работу с модулями RDDR2-533/667. Хотя стоит отметить, что внедрять регистровую память DDR2 компания особо не хотела по причине увеличившейся латентности.

Новейшее поколение Opteron (Dual Core, Socket F) использует пока самый быстрый официальный стандарт JEDEC – Registered DDR2-667 с последней технологией повышения стабильности, позволяющей проверять четность не только данных, но и адреса. Причем, когда утвердят следующую ступень DDR2-800, эти CPU поддержат и ее.

Правда, не обошлось без ложки дегтя: даже новые Opteron (возможно, пока) не могут работать более чем с четырьмя модулями памяти на один процессор, что ограничивает ее объем до 8 GB на каждый CPU.

Разумеется, запас «прочности» весьма солидный, однако сейчас можно легко найти задачи, для которых его будет недостаточно.

Структурная схема усовершенствованного буферного контроллера AMB, применяемого в технологии FB-DIMM
Системная плата Tyan Thunder h1000E станет основой для серверов среднего уровня на базе Opteron 2000, разработанных компанией Entry

Принципиально иным путем пошла Intel, выпустив новое поколение серверов на базе чипсетов серии 5000 с поддержкой памяти FB-DIMM.

Благодаря этой технологии удалось полностью вынести логику управления памятью на сам модуль (контроллер AMB), так что северный мост чипсета теперь только инициирует обращение к AMB за нужными данными, все дальнейшие процессы – от их нахождения до передачи – уже контролируются в AMB.

Это производится в режиме последовательного доступа, когда все модули одного канала соединены друг за другом. Таким образом, если данные находятся в последнем из них, запрос должен пройти через все AMB-чипы планок, установленных на этом канале, с аналогичным по длине путем дальнейшей обратной пересылки данных.

Как можно заметить, такой подход существенно увеличивает время отклика системы, особенно при случайном доступе.

Для минимизации потерь, связанных с высокой латентностью, Intel решила применить метод наращивания каналов (благо с помощью последовательного интерфейса это сделать гораздо проще, чем использовать широкую параллельную шину, да еще и на сверхвысокой частоте).

В результате первые чипсеты с последовательной подсистемой памяти получили четыре канала с возможностью установки на каждый из них до четырех модулей. Так что на двухпроцессорной системе теперь можно использовать ОЗУ до 64 GB стандарта FB-DIMM 533/667 с максимальной полосой пропускания 21 GBps.

Количество модулей, устанавливаемых на каждый канал, практически не ограничено (приводимое разработчиком число в 288 планок на канал вряд ли будет когда-либо реализовано), так что в случае необходимости памяти может быть столько, сколько нужно.

В перспективе подобная концепция могла бы стать очень эффективной, если бы не описанная выше значительная латентность и действительно устаревшая единая процессорная шина, применяемая во всех CPU от Intel. В последнем варианте 1333 MHz уже можно назвать попыткой выжать все соки из AGTL+, особенно с учетом того, что в десктопных системах такая частота вообще пока не используется (и неизвестно, будет ли). В результате для двух процессоров (восьми логических ядер) максимальная полоса пропускания составляет 10,6 GBps (всего лишь по 1,3 GBps на каждое ядро по сравнению с 4 GBps у двухъядерных Opteron). В то же время память работает ровно вдвое быстрее (21 GBps у Intel и 10,6 – у AMD), так что помимо скрытых задержек, связанных с самой технологией последовательного доступа, дополнительное время подсистема памяти простаивает, ожидая необходимых данных от процессора.

Что же в итоге?

Итак, в результате мы видим два совершенно разных подхода к функционированию (мы бы даже сказали, позиционированию) подсистемы памяти, но с использованием стандарта DDR2 (напомним, внутренняя архитектура модуля FB-DIMM полностью повторяет оную в DDR2).

AMD по-прежнему ориентирована на массовый рынок, ее процессоры универсальнее, если можно так выразиться, и пока справляются с широким кругом задач лучше продуктов конкурента. Правда, с другой стороны, они имеют более слабое вычислительное ядро, а также подвержены ограничениям, наложенным встроенным контроллером памяти.

Новая технология последовательной организации подсистемы памяти по своей концепции во многом напоминает появление Pentium 4, когда частоты и уникальность подхода не смогли компенсировать реальных требований ПО того времени. Сейчас ситуация очень похожа.

Судите сами: наиболее перспективная и быстрая технология памяти не может работать на полную мощность даже в паре с топовыми CPU Xeon нового поколения.

Причина, как и прежде, одна – необходимость срочной замены процессорной шины, существующая уже без малого шесть лет.

Трудно представить, на что были бы способны сегодняшние Xeon, если бы каждый из них был оснащен собственной последовательной шиной, и им не приходилось бы делить между собой общую полосу пропускания, особенно с учетом наличия четырех логических ядер в каждом. Выход же видится один.

Безусловно, нужно разрабатывать и внедрять новую процессорную шину (и очень быстро), а до того – выпустить чипсет, аналогичный пятитысячному, но с поддержкой обычной RDDR2, что позволило бы раскрыть потенциал серверных CPU от Intel в задачах пусть и ресурсоемких, но не заточенных на потоковую передачу данных.

Возможно, мы вернемся к этому вопросу, когда серверы с процессорами для Socket F и последовательные серверные платформы от Intel станут массовыми (это должно произойти ориентировочно к середине 2007 г.), и уже тогда станет ясно, чья же технология организации подсистемы памяти оказалась лучше.

APP (Address Parity Protection) – проверка четности адреса. По стандарту JEDEC поддержка технологии APP обязательна в регистровых модулях типа DDR2-667 и выше (для новых процессоров Opteron под Socket F).

Она позволяет «не ошибиться» при выборе области памяти, к которой обращается контроллер. Вероятность появления подобной ошибки и ранее была крайне мала, в современных же топовых серверах, как считают в консорциуме JEDEC, она должна быть исключена полностью.

Кроме того, необходимость введения APP связывают с резко возросшими частотой и объемами устанавливаемой в серверах памяти.

ECC (Error Correction Code) – память с коррекцией ошибок и контролем четности. Модули с поддержкой ECC являются минимальным обязательным требованием для серверов начального уровня.

Данная технология позволяла выявлять ошибки длиной в два бита (double error detection) и исправлять однобитовые (single error correction).

Для обеспечения этой функции необходима установка дополнительного чипа памяти на модуль и поддержка со стороны чипсета (топовые декстопные наборы системной логики от Intel – 875, 925, 955, 975 и все серверные).

Следующим шагом стало применение двух дополнительных микросхем на модуле, что дало возможность находить ошибки длиной в четыре бита и исправлять двухбитовые. В ряде серверных платформ Intel использует надстройку, названную x4 SDDC (x4 Single Device Data Correction), обеспечивающую поиск и коррекцию ошибок для 1, 2, 3 или 4 бит данных в одном модуле, а также обнаружение ошибок длиной до 8 бит в двух планках памяти.

Подобная функциональность (коррекция ошибок длиной более одного бита) имеется только у регистровых буферизованных модулей, что связано с необходимостью применения дополнительной логики на самом модуле с соответствующей поддержкой со стороны чипсета. Последней разработкой в области коррекции ошибок и проверки четности считается технология Address Parity Protection.

FB-DIMM (Fully Buffered DIMM) – новый тип серверной памяти, получивший распространение благодаря новым процессорам Xeon и чипсетам Intel серии 5000.

Принцип ее работы заключается в использовании контроллера AMB (Advanced Memory Buffer), расположенного на PCB модуля памяти и соединенного последовательной двунаправленной шиной (аналог PCI Express) с северным мостом чипсета.

За исключением AMB, планка FB-DIMM полностью повторяет характеристики регистровой буферизованной DDR2-памяти (так как использует стандартные чипы DDR2).

По сути, AMB является процессором, распределяющим работу подсистемы памяти на две независимые друг от друга составляющие: управление всеми операциями внутри модуля (чтение, запись, регенерация ячеек) и передачу данных контроллеру чипсета. Пожалуй, технология FB-DIMM – самая интеллектуальная из применяемых сегодня.

Она позволяет при уменьшении количества проводников значительно повысить частоты работы модулей и благодаря последовательному интерфейсу увеличить общий объем памяти на сервере.

В перспективе системы на основе FB-DIMM могут получить в свое распоряжение до шести каналов при возможности использования до восьми модулей в каждом, что обеспечит совершенно фантастические характеристики, ранее принципиально не достижимые на платформах x86: полосу пропускания 32 GBps и суммарный объем в 192 GB для одного сервера. Недостатками данного подхода можно считать высокое энергопотребление – на 30% больше, чем у стандарта DDR2 (нагрев AMB требует обязательной установки рассеивателя тепла) и чрезвычайно большое (по сравнению с классическими технологиями DDR и DDR2) время доступа. Следовательно, применение платформ с FB-DIMM оправдано скорее для сложных SQL-систем, где в основном используются потоковые методы обмена данными.

Rank – ранг модуля памяти. Этот термин, разработанный JEDEC, применим абсолютно для всех модулей памяти, однако актуальным является только для серверов – из-за больших объемов инсталлированной памяти.

Помимо максимального объема, поддерживаемого конкретным чипсетом, существуют ограничения и по количеству рангов.

В случае простых (не регистровых) модулей разобраться с их рангом очень просто: если микросхемы смонтированы только с одной стороны PCB – модуль всегда одноранговый, если же с двух – двухранговый.

Себестоимость одноранговых модулей, как правило, больше, ведь они базируются на микросхемах DRAM высокой плотности (особенно это актуально для планок объемом 1 GB и выше), в то же время двухранговые на многих контроллерах памяти способны показывать значительно большее быстродействие в операциях записи.

Регистровые модули в силу специфики их работы через буфера могут иметь от одного до четырех рангов.

Так, даже двухстороннее расположение чипов может означать как одно-, так и 2–4-ранговую схему, когда объем памяти разбивается на четыре 64-битовых пространства, что, в свою очередь, требует более мощной микросхемы-регистра для управления.

Например, серверный чипсет Intel E7520/E7320 допускает установку до 16 GB памяти DDR2-400, но при ограничении сверху в восемь рангов. Следовательно, чтобы достичь максимального объема, потребуется применение только восьми одноранговых планок объемом по 2 GB каждая.

Ситуация с ценами и производительностью такая же, как и с десктопной памятью. Разумеется, самой дорогой является одноранговая большого объема, но в то же время 2- и 4-ранговая в некоторых случаях обеспечивает повышенное быстродействие.

Здесь же следует упомянуть и о существенной разнице в стоимости между модулями с одинаковым рангом и объемом, но с разным числом микросхем.

Например, одноранговый модуль объемом 1 GB, состоящий из четырех чипов, может быть вдвое дороже аналогичного однорангового, но построенного на 8 или 16 чипах, так как большее количество микросхем означает большее энергопотребление и повышенную вероятность возникновения ошибки.

Registered Buffered Memory – регистровая буферизованная память. Использование дополнительных буферных регистров на ее модуле способствует уменьшению электрической нагрузки на чипсет и обеспечивает боóльшую стабильность по обмену данными между северным мостом и модулем.

В обычном модуле контроллер памяти обращается напрямую к ячейкам DRAM, в регистровом же «общение» происходит только между контроллером и регистрами.

Подобный подход позволяет увеличить общий объем памяти (из-за уменьшения электрической нагрузки контроллер может обслуживать большее количество модулей), а также существенно повысить стабильность, поскольку регистры гарантированно сохраняют сигнал до его считывания.

В настоящее время регистровая буферизованная память является стандартом де-факто для серверов среднего и высокого уровней (не вдаваясь в подробности, слова «буферизованная» и «регистровая» в данном случае можно считать синонимами).

Читайте также:  Чем отличается потребитель от покупателя

Типы упаковки микросхем памяти

BGA (Ball Grid Array) – наиболее распространенный способ упаковки современных типов памяти. В роли проводников выступают контактные площадки на нижней стороне чипов. Подход более дорогостоящий, однако позволяющий увеличить частоты работы и уменьшить паразитные электрические параметры.

DDP (Dual Die Package) – по сути, два чипа, упакованных в один TSOP-элемент.

TSOP (Thin Small Outline Package) – ранее применяемая классическая упаковка с использованием ножек по обеим сторонам чипа. В современных типах памяти практически не применяется.

Источник: https://itc.ua/articles/ddr2_vs_fb-dimm_edinstvo_i_borba_protivopolozhnostej_25574/

Выбор оперативной памяти по маркировке и характеристикам

14 окт 2017 г. в 18:10

Для правильного выбора оперативной памяти необходимо разбираться в маркировке характеристик и понимать их влияние на быстродействие компьютера. Нельзя опираться только на объём памяти и игнорировать другие важные параметры.

Расшифровка обозначений

Производители оперативной памяти используют часто свои собственные маркировки для обозначения моделей, но характеристики всё же стараются указывать в едином формате. Например, из планки от «Сrusial» можно извлечь следующую информацию.

4GB DDR3L-1600 UDIMM 1.35V CL11

Форма планок DIMM, UDIMM и SODIMM

Такими сокращениями обозначают форму планок. DIMM это планки для персональных компьютеров, а SODIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) — для ноутбуков. SODIMM по размеру короче и выше.

UDIMM — это тип DIMM памяти. «U» в начале говорит что память не снабжена буфером. Это означает возможность возникновения ошибок доступа к ячейкам. Однако, эти ошибки совершенно некритичны для обычных компьютеров, да и память без буфера работает быстрее чем с буфером. Почти все производители выпускают именно UDIMM, но в маркировке могут писать просто DIMM.

Планки с буфером помечают как RDIMM. Такая память используется в специализированных вычислительных системах, результат работы которых зависит от любых ошибок.

Тип памяти: DDR4, DDR3 и DDR3L

Типы памяти отличаются по техническим характеристикам. DDR4 работает на более высоких частотах и более энерго эффективна. Подробно об отличиях DDR4 от DDR3 читайте здесь. Отмечу, что DDR4 и DDR3/DDR3L память несовместимы.

Разница между DDR3 и DDR3L заключается лишь в энергоэффективности. «L» это сокращение от «Low». Память с этим маркером потребляет 1.35V, в то время как без него — 1.5V. Оба типа совместимы и могут использоваться одновременно в одном компьютере. Более низкое энергопотребление не позволит сэкономить на электричестве, но обеспечит памяти чуть меньший нагрев.

Частота работы: 1333, 1600, 1866, 2133 МГц

Чем выше частота, тем лучше быстродействие. Но есть нюанс. Процессор имеет максимальный порог частоты на которой он может взаимодействовать с оперативной памятью. Если в процессоре этот порог 1600 МГц, то покупка памяти с частотой 2133 МГц ничего не даст. Работать всё будет на частоте 1600 МГц.

Данную характеристику часто не указывают у процессоров и её следует искать на сайте производителя. Для примера приведу небольшой список максимальной частоты взаимодействия с ОЗУ для некоторых процессоров.

Серия процессораMax частотаCore i3Core i5Core i7AMD FXAMD Ryzen
Core i3 8й серии 2400 МГц
Core i3 7й серии 2133/2400 МГц
Core i3 6й серии 2133 МГц
Core i3 4й серии 1600 МГц
Core i5 7й серии 2400 МГц
Core i5 6й серии 2133 МГц
Core i5 4й серии 1600 МГц
Core i7 7й серии 2666 МГц
Core i7 6й серии 2400 МГц
Core i7 4й серии 1600 МГц
AMD FX-4ххх 1866 МГц
AMD FX-6ххх 1866 МГц
AMD FX-8ххх 1866 МГц
AMD Ryzen 3 1й серии 2666 МГц
AMD Ryzen 5 1й серии 2666 МГц
AMD Ryzen 7 1й серии 2933 МГц

Пиковая скорость передачи данных: PC10600, PC12800, PC19200

Максимальная скорость передачи данных зависит от частоты работы памяти и обозначается префиксом «PC». Далее идёт скорость, измеряемая в МБ/с. Чем больше скорость — тем лучше.

ЧастотаСкорость
2400 МГц PC19200
2133 МГц PC17000
1866 МГц PC14900
1600 МГц PC12800
1333 МГц PC10600

Иногда встречается префикс «PC3» или «PC4». Это ссылка на тип памяти — DDR3 или DDR4.

Тайминг: 8-8-8-24, CL11

Тайминг это задержка, которая происходит при обращении процессора к памяти. Обычно указывается в виде 4 чисел. Они описывают скорость чтения, записи и выполнения действия. А Четвёртая указывает на полный цикл выполнения этих операций. Иногда указывают только скорость чтения — CL11 (CAS Latency 11).

Чем меньше задержки, тем лучше. Но это не точно. Дело в том, что, архитектура современных процессоров подразумевает наличие большого кеша и процессор не так часто обращается к оперативной памяти. Поэтому в DDR3 и DDR4 этим показателям производители не уделяют должного внимания. Разницу в быстродействии между 8-8-8-24 и 17-17-17-42 практически нельзя заметить.

Организация модулей памяти: 1Rx8, 2Rx8

В некоторых моделях памяти в маркировке присутствует обозначение размещения модулей 1Rx8 или 2Rx8. На быстродействие данное значение роли не влияет, а указывает как расположены модули на самой плате. 1R означает что все модули расположены на одной стороне, а 2R — на двух. «x8» обозначает количество модулей на одной стороне.

В одном компьютере может использоваться одновременно память с разной организацией размещения модулей. Преимуществ у какого-то конкретного размещения также нет. Производитель просто решает как ему удобней разместить их на плате.

Расшифровка маркировки Corsair

Маркировка оперативной памяти фирмы «Corsair» значительно отличается от обозначений других производителей. Разберем обозначения «Corsair DDR4 CMU32GX4M4A2666C16R».

  • CM — это аббревиатура Corsair Memory;
  • U — серия;
  • 32G — общий объём памяти комплекта;
  • X4 — цифра указывает на тип памяти DDR4 (если 3M, то DDR3);
  • M4 — количество планок, которые входя в комплект;
  • A2666 — частота работы оперативной памяти в мегагерцах;
  • C16 — тайминг считывания (16 наносекунд);
  • R — цвет радиатора, то есть красный (Red).

Развернутый вид: Vengeance 32GB (4 x 8GB) DDR4 DRAM 2666MHz C16 Memory Kit — Red [CMU32GX4M4A2666C16R].

Выбор объёма оперативной памяти

Объём памяти следует выбирать из материальных возможностей и назначения компьютера. В игровых платформах необходимо иметь в наличии 8 гигабайт. Этот объём указан в требованиях ко многим современным играм.

Для домашнего или офисного ПК можно ограничиться 4 гигабайтами, хотя из личного опыта могу сказать что иногда этого мало и системе приходится расширять объём за счёт жесткого диска.

Это приводит к небольшим задержкам при переключении между запущенными программами, но в целом, для работы не критично.

НазначениеОбъём памяти
Офисный ПК 4 — 8 Гб
Мультимедиа ПК 4 — 8 Гб
Игровой ПК 8 — 16 Гб

Основные характеристики для выбора

Многие характеристики неважны при выборе оперативной памяти. Основной упор следует делать на тип и частоту работы памяти. Не забывайте проверять эти параметры на совместимость с процессором и материнской платой. Небольшим преимуществом будет пониженное энергопотребление или наличие радиатора. Хотя, практика показывает что перегрев происходит редко.

Источник: https://realadmin.ru/perefiriya/markirovka-operativnoj-pamyati.html

8 терминов, которые вам нужно знать при покупке оперативной памяти |

Доброго времени суток дорогие друзья! Представьте следующую ситуацию: ваш верный компьютер, которому едва исполнилось полтора года, работает не так быстро, как вам бы хотелось. Это отличная система, единственной проблемой которой остаётся черепашья скорость. Вы очень хотите узнать, как можно её ускорить и поэтому принимаетесь за чтение.

Вы обнаруживаете огромное количество программ и сайтов, обещающих ускорить ваш компьютер, но понимаете, что они не дают особого эффекта и могут даже повредить системе в долгосрочной перспективе. И это ещё не всё. Вопреки вашим убеждениям, удаление файлов с жёсткого диска тоже не поможет компьютеру работать быстрее.

Авторы некоторых прочитанных вами статьей рекомендуют восстановить систему, вернув её к состоянию, когда всё работало нормально. Возможно, вы решаете попробовать данный метод, но он не приносит желаемого результата.

Наконец, вы находите информацию, предполагающую, что обновление некоторых аппаратных компонентов может решить проблему.

Несмотря на не слишком обширные познания в компьютерной сфере, вы понимаете, что заменить оперативную память будет гораздо проще, чем жёсткий диск.

Цена нескольких гигабайт оперативной памяти несравнима со стоимостью замены всего компьютера. Чувствуя облегчение, вы решаете остановиться на этом способе.

Но ознакомившись с ассортиментом специализированных магазинов, вы теряетесь в многочисленных типах оперативной памяти и терминах, использующихся для описания разных продуктов. Опыт говорит вам, что случайная покупка с надеждой на лучшее, скорее всего только усугубит ситуацию. Вы всего лишь хотите, чтобы компьютер работал нормально. Так что же делать?

Хотя RAM (память с произвольной выборкой или оперативная память) сравнительно легко найти и установить, у начинающего пользователя могут возникнуть проблемы, связанные с её совместимостью.

Благодаря социальным сетям и крупным СМИ, информация, раскрывающая все тайны компьютера, сейчас широко доступна.

Многие начинающие и более опытные пользователи уверены в своих знаниях и могут без особых проблем выбирать компьютеры и ноутбуки.

Однако, данные, касающиеся компонентов, всё ещё не столь распространены, поэтому обновление чего-то вроде оперативной памяти может привести среднестатистического пользователя в замешательство.

Конечно, всего можно попросить помощи у специалиста, но, к сожалению, нередки случаи, когда клиента, не разбирающегося в вопросе, обманывают, продавая ему оборудование по завышенной цене или просто ненужные компоненты.

Чтобы убедиться в том, что вы приобретаете верную RAM, вам придётся изучить продукт, которые вы собираетесь купить. Вот 8 терминов, которые нужно знать при покупке оперативной памяти.

SO-DIMM

Маленькие двухсторонние модули памяти или SO-DIMM считаются меньшей по размеру альтернативой для DIMM или двухсторонних модулей памяти. Их обычно можно найти в системах с ограниченным пространством, вроде ноутбуков, нетбуков, компактных компьютеров или даже дорогих принтеров с заменяемыми компонентами.

Модули DDR (с удвоенной скоростью передачи) и DDR2 SODIMM имеют по 200 контактов, но не являются взаимозаменяемыми. К счастью, в каждой версии модулей SO-DIMM имеется проём между контактами, не позволяющий установить их в несовместимую систему.

Проём на DDR и DDR2 SODIMM находится на расстоянии одной пятой от всей длины модуля, в то время как на DDR2 он расположен чуть ближе к центру. У модулей DDR3 SO-DIMM имеется 204 контакта, а отверстие находится почти на расстоянии одной трети от длины всей платы.

Ну и наконец, как DDR4, так и UniDIMM SO-DIMM имеют по 260 контактов и превышают по размерам модули первых трёх поколений.

UDIMM

UDIMM является типом DIMM, однако, это нерегистровая или небуферизованная память. Модули UDIMM чаще всего используются в настольных и портативных компьютерах.

Хотя UDIMM быстрее и дешевле, чем регистровая память, так же известная как RDIMM, она гораздо менее стабильна. Впрочем, модули RDIMM обычно применяются в системах, где любая ошибка или нестабильность может оказаться фатальной.

Чуть более высокий риск UDIMM, скорее всего, не станет серьёзной проблемой для рядового пользователя, желающего обновить личный компьютер.

Использующиеся сегодня чипы DDR представляют собой один из типов UDIMM.

GDDR3, 4 и 5

Графическая память с удвоенной скоростью передачи данных (GDDR) — это тип памяти, в основном применяющийся в видеокартах. Хотя технологии GDDR во многом напоминают DDR (память с удвоенной скоростью передачи данных), они отличаются друг от друга. Модули GDDR3, 4 и 5 всё ещё широко используются в наше время, и найти их не составит проблем.

Источник: https://allerror.ru/reshenie-problem/8-terminov-kotorye-vam-nuzhno-znat-pri-pokupke-operativnoj-pamyati.html

Чем отличается DDR3 от DDR2

DDR2 и DDR3 принадлежат к разным поколениям оперативной памяти, но в чем заключается принципиальная разница между ними? Между любителями компьютеров не утихают споры о том, имеет ли смысл платить больше за DDR3 или лучше довольствоваться DDR2, поскольку, по мнению некоторых, принципиальной разницы в скорости на деле не ощущается.

Описание DDR2 и DDR3

В свое время появление оперативной памяти типа DDR2 вызвало настоящий фурор среди любителей компьютеров. По сравнению с DDR новый вид ОЗУ работал намного быстрее. Как и у первого поколения DDR, DDR2 передает данные по обоим срезам.

Вся разница лишь в том, что DDR2 имеет намного более быструю шину, передача данных на которую может совершаться одновременно из четырех мест. Таким образом, скорость DDR2 как минимум в два раза превосходила скорость оперативной памяти предыдущего поколения. Также DDR2 отличается скромным энергопотреблением и очень быстрым охлаждением.

Однако все эти показатели казались невероятными только до появления на рынке следующего поколения оперативной памяти.
Казалось, что ничего значительно более современного и эффективного, чем DDR2, не придумают очень долго. Но вскоре было представлено новое поколение оперативной памяти – DDR3.

Благодаря снижению напряжения питания ячеек, создателям нового типа ОЗУ удалось снизить ее энергопотребление аж на 15 процентов, что, учитывая впечатляющие показатели DDR2, можно было назвать настоящим прорывом. Более того, существуют модификации DDR3, помеченные буквой L, которые отличаются еще большим энергосбережением.

Пропуская способность у DDR3 значительно превосходит аналогичный показатель предыдущих моделей памяти и составляет до 21300 МБ/с. Впрочем, уже сегодня готовы первые образцы памяти DDR4, которая также значительно превзойдет предыдущее поколение по всем важным характеристикам.

Читайте также:  Как правильно красить скулы?

Сравнение DDR2 и DDR3

Нетрудно догадаться, что DDR2 и DDR3 не могут быть совместимыми и взаимозаменяемыми. Кроме того, два поколения оперативной памяти существенно отличаются в плане скорости работы и показателей частоты – максимальная частота DDR2 составляет 800 МГц, а максимальная частота DDR3 – 1600 МГц.

Ни в коем случае не стоит пытаться поставить память DDR2 и DDR3 на одну материнскую плату, поскольку они категорически несовместимы. Сегодня в продаже есть гибридные материнские платы с разъемами под оба вида ОЗУ, однако использовать их можно только отдельно друг от друга.

Ну, и не стоит забывать, DDR3 куда более экономно расходует электроэнергию и быстрее охлаждается, что важно при интенсивной нагрузке на компьютер.

TheDifference.ru определил, что разница между DDR2 и DDR3 заключается в следующем:

DDR2 и DDR3 имеют разные слоты и являются несовместимыми друг с другом. DDR3 имеет бо?льшую тактовую частоту – 1600 МГц против 800 МГц. DDR3 отличается меньшим энергопотреблением и большей пропускной способностью.

В целом скорость работы DDR3 выше, чем у DDR2, на 15-20 процентов.

Что лучше: DDR2 или DDR3? Обсуждаем в комментариях!

Posted in Техника и интренет   

Источник: http://xn--c1ajbfpvv.xn--p1ai/chem-otlichaetsya-ddr3-ot-ddr2/

Терминология — DIMM

DIMM (Dual In-line Memory Module) — двухсторонний модуль памяти. Это форм-фактор довольно-таки устаревших модулей памяти DRAM. Своим выходом сменил форм-фактор SIMM.

Ключевое отличие DIMM от своего предшественника заключено в контактах, которые расположены на разных сторонах модуля. Эти контакты — независимы, в отличие от принципа, на котором построен форм-фактор SIMM. Там контакты симметричны и расположены на разных сторонах модуля.

Они замкнуты между собой и передают идентичные сигналы. 

Также важно отметить, что DIMM способен обнаруживать и исправлять ошибки в 64 (без контроля четности) или 72 (с контролем четности или кода ECC) линиях передачи данных. В SIMM эта функция была реализована только c 32 линиями.

В конструктивном плане, DIMM представляет собой модуль памяти.

Выглядит как длинная плата прямоугольной формы, оснащенная группой контактных площадок, расположенных с обеих сторон, на протяжении всей длины платы.

Плата устанавливается в специально отведенный для этих целей разъем и фиксируется по обоим торцам посредством защелок. Микросхемы располагаются либо с одной, либо с обеих сторон платы.

В отличие от SIMM, который применяется для асинхронной памяти FPM и EDO, форм-фактор DIMM предназначается для памяти типа SDRAM. 

Модули рассчитаны на напряжение питания в 3,3 В. Также есть экземпляры и с 5 В питанием, но встречаются они редко. Впервые в форм-факторе DIMM появились модули с памятью типа FPM, затем — EDO. Как правило, такими модулями оснащались серверы и дорогие ПК.

SO-DIMM

Помимо DIMM, существует также модуль SO-DIMM. Он обычно используется в ноутбуках, либо как расширение памяти на плате. Отличается от DIMM более компактными габаритами.

Впоследствии, модули DIMM стали оснащаться памятью типа DDR, DDR II и DDR III. Эти модули отличались повышенным быстродействием.

На выход на рынок форм-фактора DIMM во многом повлияло рождение процессора Pentium с 64-разрядной шиной данных. В профессиональных рабочих станциях (например, SPARCstation) данный тип памяти применялся уже с начала 90-х годов. 

Массовый переход на данный тип памяти в ПК общего назначения состоялся в конце 90-х, во времена процессора Pentium II.

Вариации

DIMM имеет следующие типы:

  • 72-pin SO-DIMM (не совместим с 72-pin SIMM) — применяется в FPM DRAM и EDO DRAM;
  • 100-pin DIMM — применяется в принтерах SDRAM;
  • 144-pin SO-DIMM — применяется в SDR SDRAM (реже — в EDO RAM) в портативных компьютерах;
  • 168-pin DIMM — применяется в SDR SDRAM (реже — в FPM/EDO DRAM в рабочих станциях/серверах);
  • 172-pin MicroDIMM — применяется в DDR SDRAM;
  • 184-pin DIMM — применяется в DDR SDRAM;
  • 200-pin SO-DIMM — применяется в DDR SDRAM и в DDR2 SDRAM;
  • 214-pin MicroDIMM — применяется в DDR2 SDRAM;
  • 204-pin SO-DIMM — применяется в DDR3 SDRAM;
  • 240-pin DIMM — применяется в DDR2 SDRAM, в DDR3 SDRAM и в FB-DIMM DRAM.

Источник: https://www.alterbit.ru/glossary177.html

Память DDR3 и процессоры Intel Xeon 5500 (nehalem)

Основные вопросы, на которые нужно ответить при выборе конфигурации памяти DDR3:

1. Нужно получить максимальный объём или максимальную производительность памяти?

2. Какие процессоры будут использоваться?

3. Какое соотношение цена/производительность для нас оптимальна?

DDR2 и процессоры Intel Xeon 5400

— До 4 каналов

— До 4 DIMM на канал

— Память Fully-buffered DDR2 533/667/800

— Максимальный объем 128Гб

DDR3 и процессоры Intel Xeon 5500

— До 6 каналов

— До 3 DIMM на канал

— Память DDR3 800/1066/1333

— Максимальный объем 144Гб

Варианты конфигурирования

Для оптимального выбора конфигурации DDR3 необходимо четко понимать, что нам важнее производительность или объем. Ниже представлены конфигурации для этих обоих вариантов и сбалансированный вариант.

Максимальная производительность

Для обеспечения максимальной производительности необходимо использовать память DDR3 с частотой 1333MHz и процессоры серии X5550, т.к. только они способны обеспечить необходимую пропускную способность шины QPI (10,6 GB/s). Такая конфигурация накладывает ограничение на максимальный объем памяти в 48GB, т.к. возможно установить только 1 модуль памяти на 1 канал процессора.

Максимальная производительность

Максимальный объем

В этом случае необходима память с частотой 800MHz и любые процессоры серии X5500. Пропускная способность шины QPI при этом будет 6,4GB/s. При этом можно будет установить до 18 модулей памяти, то есть по 3 модуля на канал, и получить объем в 144GB.

Максимальный объем

Сбалансированный

Оптимальный вариант, межу производительностью и объемом. Необходимо использовать память DDR3 с частотой 1066 MHz, процессоры серии E5520 или старше. В такой конфигурации возможна установка по 2 модуля памяти на канал (всего 12 модулей) и получить общий объем памяти 96GB.

Сбалансированный вариант

Типы памяти

Но это не все. Кроме ранжирования по скорости MHz, есть 3 вида памяти DDR3: Registered DIMMs (RDIMM), Unbuffered ECC DIMMs (UDIMM ECC) и Unbuffered DIMMs (UDIMM). Сразу отмечу что Unbuffered DIMMs (UDIMM) не рекомендуется использовать в серверах. Так же модули памяти бывают разных рангов.

Сравнение UDIMM и RDIMM:

UDIMM

RDIMM

Регистр/Буфер

Нет

Есть

Частоты

800, 1066, 1333 МГц

800, 1066, 1333 МГц

Количество рангов

1 или 2

1, 2 или 4

Максимальное кол-во модулей на канал

2

3

Объем модулей

1 и 2 Гб

1,2,4 и 8 Гб

ECC

Поддерживает

Поддерживает

SDDC

X8

X4 и X8

Четность адреса

Нет

Поддерживает

Энергопотребление

~5W

~5.75W

RDIMMs:: Хотя они на несколько процентов медленнее чем UDIMM, они позволяют получить больший общий объем памяти. Поддерживают до 3 DIMMs/канал.

UDIMM ECC: поддерживает все RAS функции RDIMM кроме x4 Single Device Data Correction (SDDC).

Для систем начального уровня с объемом ОЗУ 12Гб или меньше, целесообразно использовать UDIMM ECC, т.к. у них меньше стоимость. Регистровую память имеет смысл использовать в материнских платах, где по 3 слота на канал (на будущее расширение без выбрасывания старой памяти) или модули по 4ГБ.

Относительная стоимость модулей

Ранги(Single, Dual, Quad)

Не будем детально разбирать вопрос рангов. Остановимся на наиболее важных моментах. Итак, на рисунках наглядно показано основные отличия разноранговой памяти. Технологически, при производстве, дешевле размещать большее чипов на одном модуле, то есть изготавливать память типа quad rank.

Физическое устройство разноранговой памяти

Латентность QR модулей меньше, т.к. в них одновременно может быть открыто несколько страниц. Так же есть ограничение в 8 рангов на канал, т.е в один канал можно поставить только 2 QR модуля (у разных производителей, кол-во поддерживаемых рангов может отличаться в зависимости от модели материнской платы). На данный момент Quad Rank бывают только модули RDIMM.

Еще отмечу момент, что при установки памяти с разным количеством рангов, первыми устанавливаются QR модули, потом DR и SR.

Выбор модулей оптимального объема.

Сейчас рассмотрим, какого объема лучше использовать модули, для получения необходимого объема памяти на ядро. Т.к. это позволит сэкономить деньги, и получить оптимальную производительность.

При использовании RDIMM-ов, возможны следующие конфигурации (при использовании 2х 4х ядерных процессоров Nehalem-EP)

 

В таблице представлены основные конфигурации памяти. Сначала в первой строке выбираем желаемый объем памяти на 1 ядро. Во второй строчке указа общий объем памяти, который мы получим.

Далее ниже рассмотрены варианты с разным объемом каждого модуля. Красным выделены оптимальные конфигурации.

При использовании UDIMM-ов ECC (при использовании 2х 4х ядерных процессоров Nehalem-EP)

 

DDR3 UDIMMs ограничены 2 DIMMs на канал, или в общей сложности 12 DIMMs.
Принцип выбора тот же что и при RDIMM.

Баланс памяти по каналам в конфигурации

В таблицах есть не сбалансированные конфигурации. не сбалансированной конфигурация считается, если не используются все 3 канала памяти на процессор или число модулей не кратно 3 модулям на процессор. конфигурация, когда используется два канала из трех, можно считать сбалансированной, т.к. interleave работает, но только на 2 канала

Так же возможна конфигурация, когда вся память находиться у одного процессора. Она возможна при использовании Non-Uniform Memory Access (NUMA)

 
Примеры несбалансированных конфигураций

Сбалансированная конфигурация: задействовано больше каналов, выше пропускная способность памяти.

· Пропускная способность одинакова при использовании 1 модуля памяти на канал и при использовании 2х модулей на канал (как на DDR3 1066)

Несбалансированная конфигурация: уменьшенная пропускная способность (до 17%)

· Не работает Interleave во всех 3х каналах

· Приводит к снижению пропускной способности на 2-1-1 против 1-1-1 конфигурации

Пропускная способность памяти. Сравнение сбалансированной и не сбалансированной конфигурации (DDR3 1066).

Разница в скорости на разных конфигурациях

Очень хорошо видна разница в пропускной способности памяти в разных режимах:

Memory Frequency (MHz)

DIMM Population (CPU 0 / CPU 1)

STREAM Triad Result
4.8GT/s QPI

STREAM Triad Result
5.86GT/s QPI

STREAM Triad Result
6.4GT/s QPI

Balanced Configs

1333

1-1-1 / 1-1-1

36,588

1066

1-1-1 / 1-1-1

31,218

33,723

1066

2-2-2 / 2-2-2

30,912

33,203

800

1-1-1 / 1-1-1

24,265

26,750

27,748

800

2-2-2 / 2-2-2

23,866

25,844

26,565

800

3-3-3 / 3-3-3

24,052

26,750

27,208

Unbalanced Configs

1066

2-2-0 / 2-2-0

25,343

1066

2-1-1 / 2-1-1

25,679

1066

2-2-2 / 2-2-2

30,912

800

2-2-0 / 2-2-0

19,510

800

2-1-1 / 2-1-1

19,961

800

2-2-2 / 2-2-2

25,884

RAS Features

Еще хочется отметить некоторые особенности RAS, они используются редко, поэтому скажу буквально пару слов.

Memory mirroring (Зеркалированиепамяти):

• 2 канала памяти, в качестве зеркала (одна информация записывается на обоих каналах одновременно) • Модули памяти должны быть одинаковые • Полезный объем памяти равен 50%

• Повышение надежности (память избыточна)

Технология Lockstep

Технология основывается на том, что взаимодополняющие компоненты системы выполняют параллельно одни и те же инструкции. Каждый из компонентов является активной заменой другому. Таким образом, если в одном из них происходит сбой, второй продолжает работу в прежнем режиме, при этом не происходит ни остановки, ни потери данных.

Lockstep mode

• 2 канала, работающих в lockstep (кэш линия разделяется между обоими каналами), 3 канал не используется. • Модули памяти должны быть одинаковые

• Увеличение надежности, но низкая производительность

Примеры работы RAS features

Технология Intel® x4 Single Device Data Correction (x4 SDDC) обеспечивает обнаружение и исправление ошибок размером 1, 2, 3 или 4 бит данных в одном устройстве и обнаружение ошибок размером до 8 бит данных на двух устройствах.

Материал был сделан, большой частью, Куликовым Дмитрием, за что ему выражается отдельная благодарность!

Для написания статьи использованы материалы Intel:
Xeon 5500 Memory White Paper Intel® Xeon® processor 5500 Series Datasheet: (public)

http://www.intel.com/Assets/PDF/datasheet/321321.pdf (Volume 1)
http://www.intel.com/Assets/PDF/datasheet/321322.pdf (Volume 2)

Источник: http://blog.trinitygroup.ru/2009/08/ddr3-intel-xeon-5500-nehalem.html

Ссылка на основную публикацию